اندازه‌گیری هیدروژن در عمق نمونۀ سیلیکان متخلخل به روش آشکارسازی ذرات پس‌زده از برخورد کشسان

اندازه گیری هیدروژن در عمق نمونۀ سیلیکان متخلخل به روش آشکارسازی ذرات پس زده از برخورد کشسان

سیلیکان متخلخل (ps) از حل الکتروشیمیایی سیلیکان در محلول hf+dmf به دست می آید. در فرایند تشکیل حفره ها در سیلیکان، ترکیبات هیدروژن دار در سطح دیواره های حفره ها ایجاد می شوند. در این تحقیق با اندازه گیری میزان هیدروژن در عمق نمونۀ ps، توزیع تخلخل در عمق نمونه تخمین زده شده است. با توجه با ناکارآمدی نرم افزارهای شبیه سازی متداول آنالیز با باریکۀ یونی، برنامۀ مناسبی برای شبیه سازی به روش مونت-کار...

بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل

  Porous silicon (PS) layers come into existance as a result of electrochemical anodization on silicon. Although a great deal of research has been done on the formation and optical properties of this material, the exact mechanism involved is not well-understood yet.   In this article, first, the optical properties of silicon and porous silicon are described. Then, previous research and the prop...

بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل

سیلیکان متخلخل (ps) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ویفر سیلیکان به وجود می آید. تاکنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن به ویژه فوتولومینسانس (pl) انجام شده, اما هنوز سازوکار دقیق آنها شناخته نشده است. در این مقاله ابتدا نظریه پراکندگی نور از سطوح ناهموار تصادفی و سپس انعکاس و پراکندگی, جذب و عبور نور از ps بررسی می شود و سرانجام کارهای عملی انجام شده بر روی نمون...

شبیه سازی اثرات نوع آرایش و چگالی جریان در رشد سیلیکان متخلخل به روش اصلاح شده انبوهش پخش محدود

شبیه‌سازی اثرات نوع آلایش و چگالی جریان در رشد سیلیکان متخلخل به روش اصلاح شده انبوهش پخش محدود

  The aim of this article is apply modification to limited diffusion aggregation model. The method can simulate the doping type and current density on obtained structures forms within porous silicon growth. For doping type effect, the sticking coefficient parameter and for the current density effect, mean field parameter applied to limited diffusion aggregation. Simulation results showed that t...

بررسی وابستگی میکروساختارهای سطحی سیلیکان متخلخل و خواص اپتیکی آن

  We have studied the effect of increasing porosity and its microstructure surface variation on the optical and dielectric properties of porous silicon. It seems that porosity, as the surface roughness within the range of a few microns, shows quantum effect in the absorption and reflection process of porous silicon. Optical constants of porous silicon at normal incidence of light with wavelengt...